電子技術基礎

電子技術基礎

　　電子技術基礎

　　1、半導體的導電能力隨溫度變化而變化；

　　2、P型半導體又稱為空穴半型半導體；

　　3、PN結的P區接電源正極、N區接電源負極的接法叫做正偏；

　　4、PN結的P區接電源正極、N區接電源負極的接法叫做反偏；

　　5、PN結正向偏值時處于導通狀態；

　　6、PN結反向偏值時處于截止狀態；

　　7、硅二極管的正向電壓為0.7V，鍺管為0.3V；

　　8、對于質量良好的二極管，其正向電阻一般為幾百歐姆；

　　9、穩壓二極管廣泛應用于穩壓電源與限幅電路中；

　　10、變容二極管的反向偏壓越大，其結電容越大；

　　電子技術基礎

　　1、晶體管具有電流放大作用的內部條件是基區很薄、集電結面積大；

　　2、晶體管放大作用的實質是用一個小電流控制一個大電流；

　　3、晶體管的擊穿電壓與溫度有關，會發生變化；

　　4、PNP型與NPN型晶體管都可以看成是反向串聯的兩個PN結；

　　5、帶阻尼晶體管是將晶體管、阻尼二極管、與保護電阻封裝在一起構成的；

　　6、差分對管是將兩只性能參數相同的晶體管封裝在一起構成的；

　　7、達林頓管的放大系數很高，主要用于高增益放大電路等；

　　8、場效應晶體管可分為結型和絕緣柵型兩大類；

　　9、結型場效應不僅僅依靠溝道中的自由電子導電；

　　10、場效應晶體管的輸出特性曲線可分為四個區域；

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